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海关总署、国家经贸委关于下发《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准》的通知

状态:有效 发布日期:2001-06-14 生效日期: 2001-08-01
发布部门: 海关总署国家经贸委
发布文号: 署税发[2001]252号

广东分署,各直属海关: 
  现将《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准(HDB/YD003一2000)》印发你们,自2001年8月1日起实施。本标准实施后,各地外经贸主管部门应严格按本标准审批加工贸易合同(包括结转深加工),各地海关应严格按本标准进行备案、核销,2001年8月1日前。仍按原标准审批、备案、核销加工贸易合同。 
  附件:蝉晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准(HDB/YD003—2000)》及编制说明 
 
 

海关总署 
国家经济贸易委员会 
二00一年六月十四日 
 
 

单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准——(HDB/YD003——2000) 
 
 
(商品编号:28046110、38180011) 
 
  1、范围 
  本标准规定了以多晶硅(商品编号28046190)为主要原料加工制成4英寸、5英寸单晶硅棒(商品编号28046110)和单晶硅片(商品编号38180011)的加工贸易单耗标准。 
  本标准适用于海关和外经贸部门对用多晶硅(商品编号28046190)加工生产单晶硅体(商品编号28046110)、单晶硅片(商品编号38180011)的加工贸易企业进行加工贸易单耗备案;审批和核销管理。 
  2、定义 
  本标准采用以下定义: 
  多晶硅加工单晶硅棒单耗指:在正常生产条件下,加工生产每公斤单晶硅棒所耗用多晶硅质量(kg)。(包括净耗和工艺损耗) 
  单晶硅棒加工单晶硅片净耗指:在正常生产条件下,物化在每千片单晶硅片中单晶硅棒的质量(kg)。 
  多晶硅加工单晶硅棒损耗率(%):单晶硅捧在正常加工过程中,因生产工艺所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。 
  单晶硅棒加工单晶硅片损耗率(%):单晶硅片在正常加工过程中,因生产工艺所必需但不能物化在成品中的单晶硅棒耗用量占单晶硅棒投入量的百分比。 
  3、单、损耗标准 
  3·1原料的品质规格 
  原料品质为免洗料,符合相关国内或国际行业技术标准规定及合同对产品质级的认定。 
  3·2成品的品质规格 
  单晶硅棒品质规格:该单耗标准对原料适用于相关GB/T12962-1996国家标准及合同对单晶硅棒质级的认定。 
  单晶硅抛光片品质规格:该单耗标准适用于相关GB/T12964-1996国家标准及合同对单晶硅抛光片质级的认定。 
 
 
单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准编制说明——(HDB/YD003-2000) 
 
  1、任务来源 
  为加强加工贸易单耗管理,规范和完善海关和外经贸管理部门对单耗审批、备案、核销,落实国务院关于加强对加工贸易管理的政策措施,打击伪报单耗的不法行为,促进加工贸易的健康发展,根据加工贸易单耗标准制定工作联络小组工作计划,制定单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准。 
  本标准由海关总署关税征管司委托上海海关负责起草制定。由海关总署关税征管司、国家经贸委外经司和国家信息产业部组织相关工业协会及企业的工艺、技术专家和有关海关加工贸易保税专业技术人员进行审定。 
  2、制定单耗标准的原则 
  单耗标准的制定原则是以国家标准、行业标准或该类加工企业平均水平为基础,贯彻国家有关产业和外贸政策,符合我国加工贸易生产实际,有利于加工贸易企业技术进步和公平竞争,便于海关有效监管和相关单耗数据信息的使用和维护。 
  3、编制过程 
  根据现阶段生产单晶硅棒、单晶硅片加工工艺和主要加工企业的生产技术水平,结合国内外同行业加工贸易生产实际,制定本单耗标准。 
  3.1 技术论证及适用范围 
  (1)成品和主要原料的商品知识 
  单质硅有无定形及晶体两种。无定形硅为灰黑色或栗色粉末,更常见的是无定形块状,它们是热和电的不良导体、质硬,主要用于冶金工业(例如铁合金及铝合金的生产)及制造硅化物。晶体硅是银灰色,有金属光泽的晶体,能导电(但导电率不及金属)故又称为金属硅。高纯度的金属硅(≥99.99%)是生产半导体的材料,也是电子工业的基础材料。掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。 
  由于半导体技术不断向高集成度,高性能,低成本和系统化方向发展,半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片按使用性质可分为两大类:生产用硅片;测试用硅片。 
  半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。多晶硅所使用的原材料来自硅砂(二氧化硅)。目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。 
  多晶硅的品质规格: 
  多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅;等级分为一、二、三级免洗料。 
  多晶硅的检测: 
  主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命;外形主要是块状的大小程度;结构方面要求无氧化夹层;表面需要经过酸腐蚀,结构需致密、平整,多晶硅的外观应无色斑、变色,无可见的污染物。对于特殊要求的,还需要进行体内金属杂质含量的检测。 
 
 
 
 
 
 

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