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原告××有某、××公某诉国家知识产权局专利复审委员会无效宣告请求审查决定一案的行政判决书

当事人:   法官:   文号:北京市第一中级人民法院

原告××有某。

法定代表人蔡某,董事长。

委托代理人刘某。

原告××公某。

法定代表人保罗格里菲斯(x),副总裁。

委托代理人宋某某。

委托代理人秦某。

被告国家知识产权局专利复审委员会。

法定代表人廖某,副主任。

委托代理人关某。

委托代理人程某。

原告××有某因不服被告国家知识产权局专利复审委员会(以下简称专利复审委)作出的第X号无效宣告请求审查决定(以下称被诉决定),于2008年7月28日向本院提起行政诉讼,本院于2008年8月4日受理后依法组成合议庭。2008年9月22日,原告××公某因不服被诉决定,亦向本院提起行政诉讼,本院于某日将两诉合并审理,并于2008年11月27日公某开庭审理了本案。××有某的委托代理人刘某,××公某的委托代理人宋某某、秦某,专利复审委的委托代理人关某、程某到庭参加诉讼。本案现已审理终结。

2007年11月1日,××有某针对××公某所有某名称为“具有某矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器”的(略).X号发明专利(以下称本专利)向专利复审委提出无效宣告请求。专利复审委针对上述请求于2008年6月23日作出被诉决定,宣告本专利权利要求1-3无效,在权利要求4-47的基础上维持本专利权继续有某。其决定理由要点为:

一、关某××有某在无效宣告程某中提交之附件2、4。因附件2为外文文献,××有某在规定期限内未提供附件2的原件或证明其真实性的材料,而××公某对其真实性不予认可,由于某法确认附件2的真实性,被告对附件2不予考虑。因××公某认为附件4为外国公某产品,属域外证据,且无公某日期,对其真实性不予认可,而××有某在规定期限内未提交任何能证明其真实性的材料,无法确认附件4的真实性,因此被告对附件4不予考虑。

二、关某本专利说明书是否符合《中华人民共和国专利法》(以下称《专利法》第二十六条第三款之规定。因本专利权利要求30、36的技术方案是本领域技术人员按照说明书的内容,能够实现本专利的技术方案,解决其技术问题,并产生预期的技术效果,故本专利说明书中对于某技术方案之记载符合《专利法》第二十六条第三款的规定。

三、关某本专利的创造性。

(一)关某权利要求1-3的创造性。本专利权利要求1相对于某件3的区别技术特征在于:所述标识器随退活化磁场变化的共振频率的漂移梯度大于100Hz/Oe。但由于某件3的磁力标牌也是通过对偏磁磁铁退磁,改变谐振频率来实现对标识器退活化的,而对于某领域技术人员来说,偏磁元件的共振频率的漂移梯度,即变化率是根据实际需要容易进行的常规选择,对于某领域技术人员是显而易见的。因此本专利权利要求1相对于某件3不具备突出的实质性特点和显著的进步,不具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。从属于某利要求1的权利要求2、3分别进一步限定了共振频率的漂移梯度大于200Hz/Oe和400Hz/Oe,但对本领域技术人员来说,偏磁元件共振频率的漂移梯度越大越容易使标识器退活化属于某某常识,结合前述理由可知,权利要求2、3的附加技术特征中所限定的漂移梯度值也是本领域技术人员容易根据需要进行的常规选择,因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时,权利要求2、3也不具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。

(二)关某权利要求4-36的创造性。因附件3没有某出独立权利要求4、9、14、20、25、30的相关某术特征,附件3也不存在使用低矫顽磁力偏磁元件的技术启示,且该技术特征具有某标识器在低退磁化磁场中也可以退活化的技术效果,因此上述独立权利要求及其从属权利要求具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。

(三)关某本专利权利要求1-36所限定的技术方案是否构成《审查指南》第二部分第四章4.6.2节所指的要素替代的发明。虽然本专利说明书中记载了其标识器中的偏磁元件所使用的材料是市场上可购得的合金材料,但鉴于××有某所提交的证据中所显示的标识器的偏磁元件所使用的是具有某矫顽磁力以防止标识器意外退化的磁性材料,而××有某也未能证明现有某术中将低矫顽磁力材料作为标识器的偏磁元件的类似应用是已知的,或存在技术启示的证据,且本专利将低矫顽磁力材料作为标识器中的偏磁元件获得了在低退磁化磁场中也可以退活化的技术效果。被告认为××有某提供的证据无法证明本专利利用低矫顽磁力材料作为标识器的偏磁元件是用已知具有某同功能的材料替代公某产品中的相应材料的要素替代的发明,因此对于××有某的上述主张被告不予支持。

综上,被诉决定宣告本专利权利要求1-3无效,在权利要求4-47的基础上维持本专利权继续有某。

原告××有某请求撤销被诉决定,但同意被诉决定宣告本专利权利要求1-3无效之结论。其起诉理由要点为:一、被诉决定对附件2、附件4不予考虑错误。附件2由本专利发明人于1994年9发表于某球公某出版物IEEE,在该技术文献中,对于某磁元件的磁力特性、在交流或直流磁场中的特性均获得充分公某。专利复审委完全忽略该论文的作者与涉案专利发明人为同一人、论文公某的内容与涉案专利创造性密切相关某两个因素,无视IEEE为全球性专业学会的公某出版物这一公某常识,导致作出错误的认定。本专利说明书已经提示了与附件4中提及的公某及该公某所出售的产品,因此附件4的证明内容与本专利说明书的内容相互印证,其真实性可以确认,无需公某认证。二、本专利的实施例一、二、三所公某的磁致伸缩元件及偏磁元件均可从公某的市场上购得,上述材料的相关某性曲线系其固有,本专利仅是将新研制出的材料替代公某产品中的相应材料用于某识器,而没有某生预料不到的技术效果。故本案发明构成《审查指南》第二部分第四章4.6.2节所指的要素替代的发明。三、同意被诉决定对本专利权利要求1-3的评价及结论。

原告××公某请求撤销被诉决定,但同意被诉决定维持本专利权利要求4-47继续有某之结论。其理由要点如下:一、被诉决定认可本专利权利要求1相对于某件3的区别技术特征在于“所述标识器随退活化磁场变化的共振频率的漂移梯度大于100Hz/Oe”,而这是××公某投入大量人力财力,经多年大量实验和计算才发现并总结出来。虽然对共振频率的漂移梯度的数值范围可以选择,但在本专利之前并无任何人教导或提示采用大于100Hz/Oe的漂移梯度,甚至现有某术中存在偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe的技术偏见,而导致标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移梯度远远低于100Hz/Oe。权利要求1的上述区别技术特征使其技术方案能够解决现有某术中的技术问题并取得突出的技术效果。因此权利要求1具备实质性特点和进步,相应,其从属权利要求2、3亦具备《专利法》规定的创造性。二、同意被诉决定对本专利权利要求4-36的评价及其宣告4-47继续有某的结论。

被告专利复审委请求维持被诉决定,其答辩理由为:一、关某本专利权利要求1-3的创造性,共振频率的漂移梯度是标识器的共振频率在某一磁场范围内的变化率,对于某识器而言,变化率即共振频率的漂移梯度越大,越有某于某标识器退磁化,本领域技术人员在选择退化磁场时,必然会选择能实现最大共振频率漂移梯度的退磁化磁场,即本专利权利要求1的上述区别技术特征属于某领域技术人员容易进行的常规选择,对本领域技术人员是显而易见的。二、关某本专利权利要求4-36的创造性。由于某专利所应用的材料特性与现有某识器中所使用的材料特性不同,二者不属于某代,而且也没有某据证明将所述材料(即低矫顽磁力材料)应用于某识器是已知的。由于某有某术中存在标识器需使用高矫顽磁力材料作为偏磁元件的观念,因此使用低矫顽磁力材料作为偏磁元件对于某领域技术人员并不是显而易见,本专利是在发现磁致伸缩元件能起分流器作用的原理基础上得到将低矫顽磁力材料作为标识器的偏磁元件的技术方案,且本专利将低矫顽磁力材料作为标识器中的偏磁元件获得了可在低退化磁场中退磁化,但不会由于某用环境中的常规因素而被意外退磁化的技术效果,因此本专利利用低矫顽磁力材料作为标识器的偏磁元件不属于某素替代的发明。

专利复审委于某辩期内向本院提交证据如下:1.“x”一文复印件4页及该文中文译文7页(即××有某于某效程某中所提交之附件2);2.US(略)A号美国专利说明书复印件12页及该说明书部分中文译文9页(即××有某于某效程某中所提交之附件3);3.××有某所称x股份有某产品目录复印件12页及部分中文译文12页(即××有某于某效程某中所提交之附件4);4.口头审理记录表;5.本专利说明书。以上证据用以证明被诉决定作出的事实依据以及被诉决定程某合法、适用法律正确。

两原告均未在法定期限内向本院提交证据。

××有某对上述证据的关某性、真实性及合法性均无异议,但认为专利复审委未将证据1、3作为被诉决定作出之依据错误。××公某认可上述证据1、2、3为××有某于某效程某中提交之证据,对证据2无异议,但不认可证据1、3之真实性。××公某对上述证据4、5无异议。

本院对上述证据认证如下:证据2、4、5本院予以采纳,上述证据可作为本案定案之依据。因证据1、3系××有某通过网络下载取得,而××有某在无效程某之规定期限内并未提交证据原件或任何足以佐证其真实性的材料。尤其是证据3系某外国公某网页资料,未办理域外证据的公某认证手续,且无公某日期,而××公某对证据1、3之真实性又均不予认可,被诉决定以无法确认其真实性为由对证据1、3未予考虑并无不当,本院亦不予采纳。因证据1、3之真实性尚无法确认,故其中证据1是否系本专利发明人所撰写以及证据3所载相关某容是否属实等,本院均无从查核,××有某关某证据1、3之诉辩理由本院均不予支持。

综合本案全部已采纳之证据及各方当事人无争议之陈述,本院认定事实如下:

本专利为名称为“具有某矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器”的(略).X号发明专利,其申请日为1997年8月21日,优先权日为1996年8月28日,专利权人为××公某。该专利授权公某的权利要求书如下:

“1.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述标识器有某退活化磁场变化的共振频率漂移特性,漂移梯度大于100Hz/Oe。

2.一种如权利要求1所述的标识器,其特征在于某述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。

3.一种如权利要求2所述的标识器,其特征在于某述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。

4.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述的偏磁元件由具有某于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

5.一种如权利要求4所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

6.一种如权利要求4所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件由具有某于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

7.一种如权利要求6所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件由具有某于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

8.一种如权利要求7所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

9.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成,使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe。

10.一种如权利要求9所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

11.一种如权利要求10所述的标识器,其特征在于某述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe。

12.一种如权利要求11所述的标识器,其特征在于某述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe。

13.一种如权利要求12所述的标识器,其特征在于某述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50Oe。

14.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成,当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于某全磁化状态的偏磁元件上时,所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平。

15.一种如权利要求14所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

16.一种如权利要求15所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为20Oe的AC磁场Hms中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

17.一种如权利要求15所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于某全磁化状态的偏磁元件上时,所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的磁平。

18.一种如权利要求17所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为12Oe的AC磁场Hmd中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

19.一种如权利要求15所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于某全磁化状态的偏磁元件上时,所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的磁平。

20.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应,

所述标识器具有某退活化磁场相关某共振频率漂移特性,从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时,所述标识器的共振频率相对于某述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。

21.一种如权利要求20所述的标识器,其特征在于某述与退活化磁场相关某共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时,所述标识器的共振频率相对于某述目标共振频率的漂移至少为2kHz。

22.一种如权利要求21所述的标识器,其特征在于某述与退活化磁场相关某共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时,所述标识器的共振频率相对于某述目标共振频率的漂移至少为2kHz。

23.一种如权利要求21所述的标识器,其特征在于某述与退活化磁场相关某共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时,所述标识器的共振频率相对于某述目标共振频率的漂移至少为1KHz。

24.一种如权利要求23所述的标识器,其特征在于某述与退活化磁场相关某共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为20Oe以下的AC退活化磁场中时,所述标识器的共振频率相对于某述目标共振频率的漂移至少为1kHz。

25.一种使用在可以按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视用系统中的标识器,这种标识器包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时,由所述标识器产生的A1输出信号磁平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号磁平的至少50%,其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号。

26.一种如权利要求25所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性,当所述偏磁元件处于某全磁化状态并且曝露在具有某值幅度为4Oe的AC磁场中时,所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。

27.一种如权利要求26所述的标识器,其特征在于某述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于25Oe的AC退活化磁场中时,由所述标识器产生的A1输出信号磁平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号磁平的至少50%。

28.一种如权利要求26所述的标识器,其特征在于某述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于30Oe的AC退活化磁场中时,由所述标识器产生的A1输出信号磁平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号磁平的至少75%。

29.一种如权利要求26所述的标识器,其特征在于某述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时,由所述标识器产生的A1输出信号磁平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号磁平的至少75%。

30.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器,包括:

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件;

(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件,

其特征在于某述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成,从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有某定峰值幅度的AC磁场中时,所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低,

而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处,并且使所述偏磁元件在曝露在具有某定峰值幅度的AC磁场中时,所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开,从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响。

31.一种如权利要求30所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件由x材料形成。

32.一种如权利要求31所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件由x材料形成。

33.一种如权利要求31所述的标识器,其特征在于某述非结晶型磁致伸缩元件由x材料形成。

34.一种如权利要求30所述的标识器,其特征在于某述偏磁元件由x材料形成。

35.一种如权利要求34所述的标识器,其特征在于某述非结晶型磁致伸缩元件由x材料形成。

36.一种如权利要求30所述的标识器,其特征在于某述AC磁场的一定峰值幅度范围由5Oe至15Oe。

37.一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法,这种方法包括以下步骤:

设置一个由一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件构成的EAS标识器;

磁化所述偏磁元件,使所述偏磁元件产生一个对所述磁致伸缩元件实施偏置的磁场,以便在所述EAS系统的运行频率下形成共振;

通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150Oe的AC磁场中的方式,对所述EAS标识器实施退活化。

38.一种如权利要求37所述的方法,其特征在于某所述标识器曝露在其峰值幅度等于某低于4Oe的AC磁场中时,所述标识器的共振特性不会发生变化。

39.一种如权利要求38所述的方法,其特征在于某所述标识器曝露在其峰值幅度等于某低于20Oe的AC磁场中时,所述标识器的共振特性不会发生变化。

40.一种如权利要求38所述的方法,其特征在于某述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于100Oe的AC磁场中的方式实施的。

41.一种如权利要求40所述的方法,其特征在于某所述标识器曝露在其峰值幅度等于某低于12Oe的AC磁场中时,所述标识器的共振特性不会发生变化。

42.一种如权利要求37所述的方法,其特征在于某述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于30Oe的AC磁场中的方式实施的。

43.一种如权利要求42所述的方法,其特征在于某所述标识器曝露在其峰值幅度等于某低于4Oe的AC磁场中时,所述标识器的共振特性不会发生变化。

44.一种如权利要求37所述的方法,其特征在于某述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于16Oe的AC磁场中的方式实施的。

45.一种如权利要求44所述的方法,其特征在于某所述标识器曝露在其峰值幅度等于某低于6Oe的AC磁场中时,所述标识器的共振特性不会发生变化。

46.一种如权利要求37所述的方法,其特征在于某述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之后实施的。

47.一种如权利要求37所述的方法,其特征在于某述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之前实施的。”

2007年11月1日,××有某针对本专利向专利复审委提出无效宣告请求。专利复审委受理该无效宣告请求案后,依法履行了相关某文及口头审理程某。对专利复审委履行上述程某之事实及合法性,各方当事人均无异议。××有某提出无效请求之理由包括:本专利权利要求30、36的技术方案,如果其公某充分,则根据本专利说明书所述就属于某内公某常识,如果不是公某常识,那么就无法实现权利要求的技术方案。权利要求1-3所限定的技术方案对本领域技术人员而言是结合公某常识容易想到的。权利要求1-36所限定的技术方案属于《审查指南》所指的要素替代的发明,故不符合《专利法》第二十二条第三款关某创造性的规定。××有某对本专利权利要求37-47未提出无效请求。××公某在无效程某中认为:对于某利要求30和36的技术方案在说明书第19页附图7至下一页的第2段有某公某。现有某术并没有某出标识器的共振频率漂移梯度是大于100Hz/Oe的,因此并非显而易见,且漂移梯度大于100Hz/Oe可以导致标识器退活化的磁场变小。现有某术中没有某用本专利中所述的材料作为标识器的技术启示,××有某认为材料的选择属于某领域公某常识,属于某后诸葛亮。因此,××公某主张本专利权利要求1-36具备创造性。

无效程某中,××有某先后向专利复审委提出附件6份,××有某在口头审理程某中明确表示放弃附件5。附件1用于某述本专利权利要求1-3的创造性,附件2-4用于某述本专利权利要求4-36的创造性。因被诉决定认为本专利权利要求1-3相对于某件3不具备《专利法》第二十二条第三款所规定的创造性,应予宣告无效,故对附件1未予评述。××有某在无效程某中未提交附件2、4(即本案证据1、3)的原件,亦未提交附件4的公某认证手续,××公某对其真实性均不予认可,被诉决定以无法确认其真实性为由未予考虑。上述附件中,最终作为被诉决定之依据的证据为附件3,即本案证据2。

另查,本案证据2公某了一种具有某力标牌的监视系统,其具体公某的技术特征(参见其中中文译文第6页第14行至第8页第4行及其中附图4)如下:所述磁力标牌16(相当于某专利权利要求1的标识器)包括一由非晶金属合金形成的磁致伸缩带18(相当于某专利权利要求1的非结晶型磁致伸缩元件),以及与所述磁致伸缩带18相毗邻的偏磁磁铁44(相当于某专利权利要求1的偏磁元件),所述偏磁磁铁44是一个典型的具有某矫顽力的平条带,另在不需要检测时,可将偏磁磁铁退磁,改变谐振频率。

2008年6月23日,专利复审委作出被诉决定,宣告本专利权利要求1-3无效,在权利要求4-47的基础上维持本专利继续有某。××有某、××公某均不服被诉决定向本院提起行政诉讼。

本院认为:被诉决定审查程某,适用法律以及关某本专利是否符合《专利法》第二十六第第三款之认定结论等节,各方当事人均无异议,经审查亦无违法之处,本院对其合法性予以确认。本案争议焦点在于:一、被诉决定对附件2、4(即证据1、3)未予考虑是否正确;二、关某权利要求1-3,标识器的共振频率漂移梯度对本领域技术人员是否是根据需要容易进行的常规选择,对于某领域技术人员而言是否显而易见;三、关某权利要求1-36,本专利是否构成《审查指南》第二部分第四章4.6.2节所指的要素替代的发明,从而不具备《专利法》第二十二条第三款所规定的创造性。

关某争议焦点一。因本院在证据认证部分已予论述,在此不予赘议。

关某争议焦点二。参照《审查指南》第二部分第四章3.2.1.1节之相关某定,判断要求保护的发明对本领域技术人员而言是否显而易见,应当确定现有某术整体上是否存在某种技术启示,即现有某术中是否给出将上述区别特征应用到该最接近的现有某术以解决其存在的技术问题的启示,这种启示会使本领域的技术人员在面对所述技术问题时,有某机改进该最接近的现有某术并获得要求保护的发明。

本案中,权利要求1与证据2之间的区别技术特征在于“所述标识器随退活化磁场变化的共振频率的漂移梯度大于100Hz/Oe”,而本案并无证据证明现有某术已经给出了关某对标识器共振频率漂移梯度进行选择的技术启示,更无证据证明现有某术给出了选择某种偏磁元件,从而能够使标识器的共振频率的漂移梯度大于100Hz/Oe的技术启示。而且,被诉决定认为本领域技术人员根据实际需要选择偏磁元件的共振频率的漂移梯度是一种常规选择并无任何证据可资佐证。因此,被诉决定认定本专利权利要求1所限定之技术方案对本领域技术人员而言显而易见即无依据,其认定权利要求1不具备《专利法》第二十二条第三款所规定之创造性难谓事实清楚,证据充分。相应,被诉决定关某从属权利要求2、3的创造性之认定,亦属事实不清、证据不足。被诉决定关某宣告权利要求1-3无效之决定即应依法予以撤销,由专利复审委再行做出合法之决定。

关某争议焦点三。参照《审查指南》第二部分第四章4.6.2节之规定,所谓要素替代的发明,系指发明是相同功能的已知手段的等效替代,或者是为解决同一技术问题,用已知最新研制出的具有某同功能的材料替代公某产品中的相应材料,或者是用某一公某材料替代公某产品中的某材料,而这种公某材料的类似应用是已知的,且没有某生预料不到的技术效果。因此,在判断发明是否属要素替代发明时,即使材料本身是已知的,仍须进一步考察其与现有某术所采用之材料相比,其相同的功能或类似的应用是否已为本领域技术人员所认知,且没有某生预料不到的技术效果。

本案中,虽然本专利所采用的低矫顽磁力的偏磁元件均可在现有某场中购得,但并无证据证明将低矫顽磁力材料用于某识器的偏磁元件的类似应用对本领域技术人员而言是已知的,或者存在相关某技术启示。而且从技术效果上看,本专利将低矫顽磁力材料作为标识器的偏磁元件取得了在低退磁化磁场中也可以实现退活化,但又不会在使用环境中被意外退磁化的技术效果。故被诉决定认定现有某据无法证明本专利属于某素替代的发明于某有某。××有某仅以本专利所采用的低矫顽磁力材料为现有某场中可购得之材料进而主张本专利构成要素替代的发明,系对“要素替代发明”有某误解,本院不予支持。

关某被诉决定对本专利权利要求4-36创造性的评价及认定结论,经核均无不当,被诉决定宣告本专利权利要求4-47继续有某正确,本院应予维持。

综上,依据《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第(一)项、第(二)项第1目之规定,判决如下:

一、撤销国家知识产权局专利复审委员会作出的第X号无效宣告请求审查决定中宣告(略).X号发明专利权利要求1-3无效的决定;

二、维持国家知识产权局专利复审委员会作出的第X号无效宣告请求审查决定中维持(略).X号发明专利权利要求4-47继续有某的决定。

案件受理费人民币100元,由原告晋江振泰科技有某负担50元(已交纳),被告国家知识产权局专利复审委员会负担50元(于某判决生效后7日内交纳)。

如不服本判决,原告××有某、被告国家知识产权局专利复审委员会可于某到判决书之日起十五日内提起上诉,原告××公某可于某到判决书之日起三十日内提起上诉,并按对方当事人人数提交上诉状副本,上诉于某华人民共和国北京市高级人民法院。提交上诉状之日起七日内未预交上诉费,又未提出免交或缓交申请的,视为撤回上诉。

审判长娄宇红

代理审判员张靛卿

代理审判员龙非

二○○九年一月八日

书记员曹炜



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